深圳市力通伟业半导体有限公司

型号：SI4410BDY-T1-E3   品牌：VISHAY   封装：SOP8    年份：16+

Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4410BDY-T1-E3, 7.5 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装

产品详细信息
N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

产品技术参数
通道类型 N
连续漏极电流 7.5 A
漏源电压 30 V
漏源电阻值 14 mΩ
栅源电压 ±20 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
功率耗散 1.4 W
典型接通延迟时间 10 ns
工作温度 -55 °C
尺寸 5 x 4 x 1.55mm
长度 5mm
宽度 4mm
典型关断延迟时间 40 ns
工作温度 +150 °C
高度 1.55mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 5 V
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Vishay Si N沟道 MOSFET Si4134DY-T1-GE3, 9.9 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装

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